RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
19
读取速度,GB/s
12.4
18.8
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2991
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link