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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
35
读取速度,GB/s
16.2
14.4
写入速度,GB/s
10.7
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2644
2452
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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