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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
17.8
11.0
写入速度,GB/s
15.7
8.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3867
2271
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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