RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сравнить
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
11.0
Скорость записи, Гб/сек
15.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3867
2271
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link