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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
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Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
57
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
25
读取速度,GB/s
6.8
17.4
写入速度,GB/s
5.5
16.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
3908
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
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