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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
70
73
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
70
读取速度,GB/s
6.1
15.3
写入速度,GB/s
4.7
8.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
1971
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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