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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
46
读取速度,GB/s
12.2
15.9
写入速度,GB/s
7.2
12.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
2936
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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