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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
17.7
写入速度,GB/s
10.1
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3321
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
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