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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
65
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
46
读取速度,GB/s
4,806.8
11.1
写入速度,GB/s
2,784.6
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2388
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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