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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
35
读取速度,GB/s
13.4
16.2
写入速度,GB/s
8.0
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3246
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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