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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
42
读取速度,GB/s
12.8
12.7
写入速度,GB/s
9.0
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2701
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Frequency (Mhz) *
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