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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
51
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
22
读取速度,GB/s
9.8
18.3
写入速度,GB/s
8.1
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3934
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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