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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
18.4
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3583
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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