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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 71
    左右 31% 更低的延时
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB 需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 71
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 1757

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB RAM的比较

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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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内存RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
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内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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