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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
9.2
20.0
写入速度,GB/s
8.1
19.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
4243
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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