RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
54
Por volta de -116% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
19.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
4243
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link