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Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
62
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,810.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
46
读取速度,GB/s
4,311.6
11.1
写入速度,GB/s
1,810.1
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
804
2388
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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