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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 14% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
28
读取速度,GB/s
14.9
18.4
写入速度,GB/s
10.6
14.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3525
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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