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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FP 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FP 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FP 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR3
PassMark中的延时,ns
24
41
读取速度,GB/s
14.9
11.5
写入速度,GB/s
10.6
8.0
内存带宽,mbps
19200
10600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
1954
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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