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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
10.7
17.3
写入速度,GB/s
6.8
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2762
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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