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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
59
左右 -37% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
43
读取速度,GB/s
4,723.5
11.6
写入速度,GB/s
2,076.1
11.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2615
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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