RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

总分
star star star star star
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    5 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    48 left arrow 60
    左右 -25% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 2,381.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 48
  • 读取速度，GB/s
    5,082.2 left arrow 11.6
  • 写入速度，GB/s
    2,381.6 left arrow 8.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    925 left arrow 2466

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
内存RAM