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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
18.0
写入速度,GB/s
1,447.3
14.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3537
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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