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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

总分
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

总分
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G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

差异 规格 评论

差异

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 18
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 63
    左右 -125% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.1 left arrow 1,447.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    3,231.0 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    1,447.3 left arrow 14.1
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    478 left arrow 3537

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较

Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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