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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
19.1
写入速度,GB/s
870.4
16.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3845
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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