RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
87
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3845
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link