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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
31
读取速度,GB/s
3,726.4
16.1
写入速度,GB/s
1,590.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3130
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Kingston 9905734-061.A00G 32GB
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Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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