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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1654
1254
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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