RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
40
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1654
3593
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link