RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
40
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1654
3344
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link