RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
77
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
5.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1267
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link