RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
77
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
5.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1267
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link