RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
65
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
5300
Rund um 2.42% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
27
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
3,580.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,592.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
5300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
572
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link