Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Unterschiede

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 65
    Rund um 58% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 1,592.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 5300
    Rund um 2.42% höhere Bandbreite
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 12.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 65
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.2 left arrow 3,580.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 1,592.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 5300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1763 left arrow 572
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RAM 1
RAM 2

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