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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
65
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
5300
Rund um 2.42% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
27
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
3,580.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,592.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
5300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
572
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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