Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 65

Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.8 1,592.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 5300

Wokół strony 2.42% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1763 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns