RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
72
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,592.0
1,481.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
65
72
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
3,572.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
1,481.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
5300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link