Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Punteggio complessivo
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    65 left arrow 72
    Intorno 10% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,592.0 left arrow 1,481.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    65 left arrow 72
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,580.8 left arrow 3,572.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,592.0 left arrow 1,481.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    572 left arrow 536
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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