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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
72
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,592.0
1,481.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
65
72
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
3,572.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
1,481.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
5300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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