Confronto tra le RAM Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 65

Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.8 1,592.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 5300

Intorno 2.42% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1763 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns