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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
48
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
11.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
48
Velocità di lettura, GB/s
12.2
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
1804
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
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