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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Confronto
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
48
Velocità di lettura, GB/s
13.7
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2270
1804
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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