PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Punteggio complessivo
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 48
    Intorno 46% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.7 left arrow 11.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 48
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.7 left arrow 11.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.3 left arrow 8.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2270 left arrow 1804
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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