RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
104
Intorno -215% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
33
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2987
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link