Confronto tra le RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Punteggio complessivo

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,404.5 1,190.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

59 104

Intorno -76% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

786 406

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns