Comparação RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Pontuação geral

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,404.5 1,190.3

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

59 104

Por volta de -76% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio

no data 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

786 406

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns