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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
86
104
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
891.6
2,404.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
104
86
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
2,444.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
891.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
no data
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
322
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Corsair VS2GSDS800D2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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