Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка
star star star star star
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    86 left arrow 104
    Около -21% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    891.6 left arrow 2,404.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    104 left arrow 86
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,192.0 left arrow 2,444.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,404.5 left arrow 891.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    786 left arrow 322
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения