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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
2
テスト平均値
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
86
104
周辺 -21% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
891.6
2,404.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
86
読み出し速度、GB/s
3,192.0
2,444.5
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
891.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度
no data
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
322
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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