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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

総合得点
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
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Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 1,190.3
    テスト平均値
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    59 left arrow 104
    周辺 -76% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 59
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 2,178.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 1,190.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 406

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