Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 1,190.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    59 left arrow 104
    Wokół strony -76% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    104 left arrow 59
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,192.0 left arrow 2,178.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 1,190.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    786 left arrow 406
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania