RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3239
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link