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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3239
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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