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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
5.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
34
38
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
8.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
1949
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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