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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
34
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
1949
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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