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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
28
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
17
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1578
3704
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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